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MMBFJ110
制造厂商：仙童半导体（Fairchild）
类别封装：JFET结点场效应管，SuperSOT-3
技术参数：JFET N-CH 25V 460MW 3-SSOT
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技术参数详情：
制造商产品型号：MMBFJ110制造商：仙童半导体 Fairchild （已被安森美ONSEMI收购）描述：JFET N-CH 25V 460MW 3-SSOT系列：-FET 类型：N 沟道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：25V漏源极电压 (Vdss)：-不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：10mA @ 15V漏极电流 (Id) - 最大值：-不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：4V @ 10nA不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-电阻 - RDS（开）：18 欧姆安装类型：表面贴装产品封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：SuperSOT-3功率 - 最大值：460mW现在可以订购MMBFJ110，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
