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J112
制造厂商:仙童半导体(Fairchild)
类别封装:JFET结点场效应管,TO-92-3
技术参数:JFET N-CH 35V 625MW TO92
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技术参数详情:
制造商产品型号:J112制造商:仙童半导体 Fairchild (已被安森美ONSEMI收购)描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92系列:-FET 类型:N 沟道电压 - 击穿 (V(BR)GSS):35V漏源极电压 (Vdss):-不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):5mA @ 15V漏极电流 (Id) - 最大值:-不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):1V @ 1μA不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-电阻 - RDS(开):50 欧姆安装类型:通孔产品封装:TO-226-3,TO-92-3 标准主体 供应商器件封装:TO-92-3功率 - 最大值:625mW现在可以订购J112,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。