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HUFA76609D3ST_F085
制造厂商：仙童半导体（Fairchild）
类别封装：单端场效应管，D-Pak
技术参数：MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
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技术参数详情：
制造商产品型号：HUFA76609D3ST_F085制造商：仙童半导体 Fairchild （已被安森美ONSEMI收购）描述：MOSFET N-CH 100V 10A DPAK系列：UltraFET?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：160 毫欧 @ 10A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：16nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：425pF @ 25V功率 - 最大值：49W安装类型：表面贴装产品封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商器件封装：D-Pak现在可以订购HUFA76609D3ST_F085，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
