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HGTG5N120BND
制造厂商：仙童半导体（Fairchild）
类别封装：单路IGBT，TO-247
技术参数：IGBT 1200V 21A 167W TO247
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技术参数详情：
制造商产品型号：HGTG5N120BND制造商：仙童半导体 Fairchild （已被安森美ONSEMI收购）描述：IGBT 1200V 21A 167W TO247系列：-IGBT 类型：NPT电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：21ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：40A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.7V @ 15V，5A功率 - 最大值：167WSwitching Energy：450μJ （开）， 390μJ （关）输入类型：标准Gate Charge：53nC25°C 时 Td（开/关）值：22ns/160nsTest Condition：960V, 5A, 25 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr)：65ns产品封装：TO-247-3安装类型：通孔供应商器件封装：TO-247现在可以订购HGTG5N120BND，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
