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HGT1S2N120CN
制造厂商：仙童半导体（Fairchild）
类别封装：单路IGBT，I2PAK
技术参数：IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
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技术参数详情：
制造商产品型号：HGT1S2N120CN制造商：仙童半导体 Fairchild （已被安森美ONSEMI收购）描述：IGBT 1200V 13A 104W I2PAK系列：-IGBT 类型：NPT电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：13ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：20A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.4V @ 15V，2.6A功率 - 最大值：104WSwitching Energy：96μJ （开）， 355μJ （关）输入类型：标准Gate Charge：30nC25°C 时 Td（开/关）值：25ns/205nsTest Condition：960V, 2.6A, 51 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr)：-产品封装：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA安装类型：通孔供应商器件封装：I2PAK现在可以订购HGT1S2N120CN，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
