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FQT4N20LTF
制造厂商：仙童半导体（Fairchild）
类别封装：单端场效应管，SOT-223-4
技术参数：MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223
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技术参数详情：
制造商产品型号：FQT4N20LTF制造商：仙童半导体 Fairchild （已被安森美ONSEMI收购）描述：MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223系列：QFETFET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：200V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：850mA（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.35 欧姆 @ 425mA，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.2nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：310pF @ 25V功率 - 最大值：2.2W安装类型：表面贴装产品封装：TO-261-4，TO-261AA供应商器件封装：SOT-223-4现在可以订购FQT4N20LTF，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
