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FQPF2N30
制造厂商:仙童半导体(Fairchild)
类别封装:单端场效应管,TO-220F
技术参数:MOSFET N-CH 300V 1.34A TO-220F
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技术参数详情:
制造商产品型号:FQPF2N30制造商:仙童半导体 Fairchild (已被安森美ONSEMI收购)描述:MOSFET N-CH 300V 1.34A TO-220F系列:QFETFET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):300V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.34A(Tc)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.7 欧姆 @ 670mA,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):130pF @ 25V功率 - 最大值:16W安装类型:通孔产品封装:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220F现在可以订购FQPF2N30,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。