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FQI5N20LTU
制造厂商:仙童半导体(Fairchild)
类别封装:单端场效应管,I2PAK
技术参数:MOSFET N-CH 200V 4.5A I2PAK
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技术参数详情:
制造商产品型号:FQI5N20LTU制造商:仙童半导体 Fairchild (已被安森美ONSEMI收购)描述:MOSFET N-CH 200V 4.5A I2PAK系列:QFETFET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):200V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4.5A(Tc)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 2.25A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.2nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):325pF @ 25V功率 - 最大值:3.13W安装类型:通孔产品封装:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA供应商器件封装:I2PAK现在可以订购FQI5N20LTU,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。