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仙童(Fairchild)
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产品参考图片
FQI34P10TU 图片
FQI34P10TU
  • 制造厂商:仙童半导体(Fairchild)
  • 类别封装:单端场效应管,I2PAK
  • 技术参数:MOSFET P-CH 100V 33.5A I2PAK
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    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:FQI34P10TU
  • 制造商:仙童半导体 Fairchild (已被安森美ONSEMI收购)
  • 描述:MOSFET P-CH 100V 33.5A I2PAK
  • 系列:QFET
  • FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):33.5A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):60 毫欧 @ 16.75A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):110nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2910pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:3.75W
  • 安装类型:通孔
  • 产品封装:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
  • 供应商器件封装:I2PAK
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