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FQI19N20CTU
制造厂商：仙童半导体（Fairchild）
类别封装：单端场效应管，I2PAK
技术参数：MOSFET N-CH 200V 19A I2PAK
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技术参数详情：
制造商产品型号：FQI19N20CTU制造商：仙童半导体 Fairchild （已被安森美ONSEMI收购）描述：MOSFET N-CH 200V 19A I2PAK系列：QFETFET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：200V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：19A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：170 毫欧 @ 9.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：53nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1080pF @ 25V功率 - 最大值：3.13W安装类型：通孔产品封装：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA供应商器件封装：I2PAK现在可以订购FQI19N20CTU，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
