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FGD3N60UNDF
制造厂商：仙童半导体（Fairchild）
类别封装：单路IGBT，TO-252
技术参数：IGBT 600V 6A 60W DPAK
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技术参数详情：
制造商产品型号：FGD3N60UNDF制造商：仙童半导体 Fairchild （已被安森美ONSEMI收购）描述：IGBT 600V 6A 60W DPAK系列：-IGBT 类型：NPT电压 - 集射极击穿（最大值）：600V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：9A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.52V @ 15V，3A功率 - 最大值：60WSwitching Energy：52μJ （开）， 30μJ （关）输入类型：标准Gate Charge：1.6nC25°C 时 Td（开/关）值：5.5ns/22nsTest Condition：400V， 3A， 10 欧姆， 15V反向恢复时间 (trr)：21ns产品封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63安装类型：表面贴装供应商器件封装：TO-252现在可以订购FGD3N60UNDF，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
