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FGA30N120FTDTU
制造厂商：仙童半导体（Fairchild）
类别封装：单路IGBT，TO-3P
技术参数：IGBT 1200V 60A 339W TO3P
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技术参数详情：
制造商产品型号：FGA30N120FTDTU制造商：仙童半导体 Fairchild （已被安森美ONSEMI收购）描述：IGBT 1200V 60A 339W TO3P系列：-IGBT 类型：沟道和场截止电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：90A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2V @ 15V，30A功率 - 最大值：339WSwitching Energy：-输入类型：标准Gate Charge：208nC25°C 时 Td（开/关）值：-Test Condition：-反向恢复时间 (trr)：730ns产品封装：TO-3P-3，SC-65-3安装类型：通孔供应商器件封装：TO-3P现在可以订购FGA30N120FTDTU，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
