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FDZ2553N
制造厂商：仙童半导体（Fairchild）
类别封装：场效应管阵列，18-BGA
技术参数：MOSFET 2N-CH 20V 9.6A BGA
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技术参数详情：
制造商产品型号：FDZ2553N制造商：仙童半导体 Fairchild （已被安森美ONSEMI收购）描述：MOSFET 2N-CH 20V 9.6A BGA系列：PowerTrenchFET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：9.6A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：14 毫欧 @ 9.6A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1299pF @ 10V功率 - 最大值：2.1W安装类型：表面贴装产品封装：18-WFBGA供应商器件封装：18-BGA（2.5x4）现在可以订购FDZ2553N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
