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FDU7N60NZTU
制造厂商：仙童半导体（Fairchild）
类别封装：单端场效应管，TO-251
技术参数：MOSFET N-CH 600V SGL IPAK
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技术参数详情：
制造商产品型号：FDU7N60NZTU制造商：仙童半导体 Fairchild （已被安森美ONSEMI收购）描述：MOSFET N-CH 600V SGL IPAK系列：UniFET-II?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：600V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5.5A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.25 欧姆 @ 2.75A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：730pF @ 25V功率 - 最大值：90W安装类型：通孔产品封装：TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB供应商器件封装：TO-251现在可以订购FDU7N60NZTU，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
