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FDT434P
制造厂商:仙童半导体(Fairchild)
类别封装:单端场效应管,SOT-223-3
技术参数:MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223
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技术参数详情:
制造商产品型号:FDT434P制造商:仙童半导体 Fairchild (已被安森美ONSEMI收购)描述:MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223系列:PowerTrenchFET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6A(Ta)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):50 毫欧 @ 6A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):19nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1187pF @ 10V功率 - 最大值:1.1W安装类型:表面贴装产品封装:TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装:SOT-223-3现在可以订购FDT434P,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。