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FDS8926A
制造厂商:仙童半导体(Fairchild)
类别封装:场效应管阵列,8-SO
技术参数:MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SO-8
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技术参数详情:
制造商产品型号:FDS8926A制造商:仙童半导体 Fairchild (已被安森美ONSEMI收购)描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SO-8系列:-FET 类型:2 个 N 沟道(双)FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):5.5A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):30 毫欧 @ 5.5A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):28nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):900pF @ 10V功率 - 最大值:900mW安装类型:表面贴装产品封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装:8-SO现在可以订购FDS8926A,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。