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FDS3572
制造厂商：仙童半导体（Fairchild）
类别封装：单端场效应管，8-SOIC
技术参数：MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
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技术参数详情：
制造商产品型号：FDS3572制造商：仙童半导体 Fairchild （已被安森美ONSEMI收购）描述：MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC系列：PowerTrenchFET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：80V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8.9A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：16 毫欧 @ 8.9A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：41nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1990pF @ 25V功率 - 最大值：2.5W安装类型：表面贴装产品封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：8-SOIC N现在可以订购FDS3572，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
