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FDN5618P
制造厂商：仙童半导体（Fairchild）
类别封装：单端场效应管，3-SSOT
技术参数：MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3
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技术参数详情：
制造商产品型号：FDN5618P制造商：仙童半导体 Fairchild （已被安森美ONSEMI收购）描述：MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3系列：PowerTrenchFET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.25A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：170 毫欧 @ 1.25A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13.8nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：430pF @ 30V功率 - 最大值：460mW安装类型：表面贴装产品封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：3-SSOT现在可以订购FDN5618P，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
