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FDMS3664S
制造厂商：仙童半导体（Fairchild）
类别封装：场效应管阵列，8-PQFN
技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A 8-PQFN
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技术参数详情：
制造商产品型号：FDMS3664S制造商：仙童半导体 Fairchild （已被安森美ONSEMI收购）描述：MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A 8-PQFN系列：PowerTrenchFET 类型：2 N 沟道（双）非对称型FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：13A，25A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8 毫欧 @ 13A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：29nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1765pF @ 15V功率 - 最大值：1W安装类型：表面贴装产品封装：8-TDFN供应商器件封装：8-PQFN现在可以订购FDMS3664S，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
