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FDMD8900
制造厂商：仙童半导体（Fairchild）
类别封装：FET - 阵列，12-PowerWDFN
技术参数：MOSFET 2N-CH 30V POWER
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技术参数详情：
制造商产品型号: FDMD8900制造商：仙童半导体 Fairchild （已被安森美ONSEMI收购）功能总体简述: MOSFET 2N-CH 30V POWER系列: -FET 类型: 2 个 N 沟道（双）FET 功能: 标准漏源极电压（Vdss）: 30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 19A，17A不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 4 毫欧 @ 19A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5mV @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 35nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 2605pF @ 15V功率 - 最大值: 2.1W安装类型: 表面贴装产品封装: 12-PowerWDFN供应商器件封装: 12-PQFN（3.3x5）现在可以订购FDMD8900，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
