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FDMD85100
制造厂商：仙童半导体（Fairchild）
类别封装：FET - 阵列，8-PowerWDFN
技术参数：MOSFET 2N-CH 100V
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技术参数详情：
制造商产品型号: FDMD85100制造商：仙童半导体 Fairchild （已被安森美ONSEMI收购）功能总体简述: MOSFET 2N-CH 100V系列: PowerTrenchFET 类型: 2 个 N 沟道（双）FET 功能: 标准漏源极电压（Vdss）: 100V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 10.4A不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 9.9m? @ 10.4A, 10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 31nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 2230pF @ 50V功率 - 最大值: 2.2W安装类型: 表面贴装产品封装: 8-PowerWDFN供应商器件封装: 8-PQFN（5x6）现在可以订购FDMD85100，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
