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FDMB506P
制造厂商：仙童半导体（Fairchild）
类别封装：单端场效应管，8-MLP
技术参数：MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MICROFET
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技术参数详情：
制造商产品型号：FDMB506P制造商：仙童半导体 Fairchild （已被安森美ONSEMI收购）描述：MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MICROFET系列：PowerTrenchFET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6.8A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：30 毫欧 @ 6.8A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：30nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2960pF @ 10V功率 - 最大值：1.9W安装类型：表面贴装产品封装：8-MLP，MicroFET供应商器件封装：8-MLP，MicroFET（3x1.9）现在可以订购FDMB506P，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
