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FDMB2307NZ
制造厂商：仙童半导体（Fairchild）
类别封装：场效应管阵列，6-MLP
技术参数：MOSFET 2N-CH 6-MLP
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技术参数详情：
制造商产品型号：FDMB2307NZ制造商：仙童半导体 Fairchild （已被安森美ONSEMI收购）描述：MOSFET 2N-CH 6-MLP系列：PowerTrenchFET 类型：2 N 沟道（双）共漏FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：-电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：-不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：-不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：28nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-功率 - 最大值：800mW安装类型：表面贴装产品封装：6-WDFN供应商器件封装：6-MLP现在可以订购FDMB2307NZ，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
