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FDFMA2P859T
制造厂商：仙童半导体（Fairchild）
类别封装：单端场效应管，6-MicroFET
技术参数：MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
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技术参数详情：
制造商产品型号：FDFMA2P859T制造商：仙童半导体 Fairchild （已被安森美ONSEMI收购）描述：MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET系列：PowerTrenchFET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：二极管（隔离式）漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：120 毫欧 @ 3A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：435pF @ 10V功率 - 最大值：700mW安装类型：表面贴装产品封装：6-WDFN供应商器件封装：6-MicroFET（2x2）现在可以订购FDFMA2P859T，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
