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FDD850N10LD
制造厂商：仙童半导体（Fairchild）
类别封装：单端场效应管，TO-252-5
技术参数：MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK
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技术参数详情：
制造商产品型号：FDD850N10LD制造商：仙童半导体 Fairchild （已被安森美ONSEMI收购）描述：MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK系列：PowerTrenchFET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：15.7A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：75 毫欧 @ 12A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：28.9nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1465pF @ 25V功率 - 最大值：50W安装类型：表面贴装产品封装：TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD供应商器件封装：TO-252-5现在可以订购FDD850N10LD，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
