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FDD4N60NZ
制造厂商：仙童半导体（Fairchild）
类别封装：单端场效应管，D-Pak
技术参数：MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK
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技术参数详情：
制造商产品型号：FDD4N60NZ制造商：仙童半导体 Fairchild （已被安森美ONSEMI收购）描述：MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK系列：UniFET-II?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：600V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.4A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.5 欧姆 @ 1.7A， 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.8nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：510pF @ 25V功率 - 最大值：114W安装类型：表面贴装产品封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商器件封装：D-Pak现在可以订购FDD4N60NZ，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
