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FDC6506P
制造厂商：仙童半导体（Fairchild）
类别封装：场效应管阵列，6-SSOT
技术参数：MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
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技术参数详情：
制造商产品型号：FDC6506P制造商：仙童半导体 Fairchild （已被安森美ONSEMI收购）描述：MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6系列：PowerTrenchFET 类型：2 个 P 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.8A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：170 毫欧 @ 1.8A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：3.5nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：190pF @ 15V功率 - 最大值：700mW安装类型：表面贴装产品封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6供应商器件封装：6-SSOT现在可以订购FDC6506P，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
