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FDC6301N
制造厂商：仙童半导体（Fairchild）
类别封装：场效应管阵列，6-SSOT
技术参数：MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
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技术参数详情：
制造商产品型号：FDC6301N制造商：仙童半导体 Fairchild （已被安森美ONSEMI收购）描述：MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6系列：-FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：25V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：220mA不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4 欧姆 @ 400mA，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.7nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9.5pF @ 10V功率 - 最大值：700mW安装类型：表面贴装产品封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6供应商器件封装：6-SSOT现在可以订购FDC6301N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
