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FDB2670
制造厂商：仙童半导体（Fairchild）
类别封装：单端场效应管，TO-263AB
技术参数：MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB
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技术参数详情：
制造商产品型号：FDB2670制造商：仙童半导体 Fairchild （已被安森美ONSEMI收购）描述：MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB系列：PowerTrenchFET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：200V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：19A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：130 毫欧 @ 10A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：38nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1320pF @ 100V功率 - 最大值：93W安装类型：表面贴装产品封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：TO-263AB现在可以订购FDB2670，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
