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FDB070AN06A0
制造厂商:仙童半导体(Fairchild)
类别封装:单端场效应管,TO-263AB
技术参数:MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
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技术参数详情:
制造商产品型号:FDB070AN06A0制造商:仙童半导体 Fairchild (已被安森美ONSEMI收购)描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB系列:PowerTrenchFET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):60V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):15A(Ta),80A(Tc)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):7 毫欧 @ 80A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):66nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3000pF @ 25V功率 - 最大值:175W安装类型:表面贴装产品封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商器件封装:TO-263AB现在可以订购FDB070AN06A0,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。