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FCH190N65F_F085
制造厂商:仙童半导体(Fairchild)
类别封装:FET - 单,TO-247-3
技术参数:MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
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技术参数详情:
制造商产品型号: FCH190N65F_F085制造商:仙童半导体 Fairchild (已被安森美ONSEMI收购)功能总体简述: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247系列: SuperFET IIFET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能: 标准漏源极电压(Vdss): 650V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 20.6A(Tc)不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 190 毫欧 @ 27A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 82nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 3181pF @ 25V功率 - 最大值: 208W安装类型: 通孔产品封装: TO-247-3供应商器件封装: TO-247现在可以订购FCH190N65F_F085,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。