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FCB110N65F
制造厂商：仙童半导体（Fairchild）
类别封装：FET - 单，TO-263-3，D2Pak
技术参数：MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
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技术参数详情：
制造商产品型号: FCB110N65F制造商：仙童半导体 Fairchild （已被安森美ONSEMI收购）功能总体简述: MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK系列: FRFET，SuperFET IIFET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能: 标准漏源极电压（Vdss）: 650V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 35A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 110 毫欧 @ 17.5A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 5V @ 3.5mA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 145nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 4895pF @ 100V功率 - 最大值: 357W安装类型: *产品封装: TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB供应商器件封装: *现在可以订购FCB110N65F，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
